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                  半導體芯片檢測

                  高溫存儲試驗、溫度循環試驗、溫濕度試驗等。

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                  可靠性測試
                  EOS過度電性應力/涌浪測試一般件、ESD(HBM)一般件、ESD(MM)一般件、ESD(Latch-up)一般件、Non socket CDM Orion CDM 一般件、System-level ESD test 一般件、TLP ESD test 一般件、UBHAST 非偏壓高加速壽命試驗、TCT 溫度循環試驗、BLT 偏壓壽命試驗、HTS 高溫貯存試驗 0~ 300c、LTS 低溫貯存試驗、THB 溫濕度貯存偏壓試驗、PCT 高溫水蒸汽壓力試驗、HAST 高加速壽命試驗、Pre-condition-not include SAT、Solderability 沾錫試驗、PTC 電源溫度循環、SAT 一般件。

                  服務項目 描述
                  芯片失效分析 EMMI 失效點定位
                  OBIRCH 擊穿路徑成像
                  FIB 電路修改:0.55 um以上、電路修改:0.11-0.28 m及以上工藝(鋁制程)、電路修改:0.11-0.18 um (銅制程)、電路修改: 55-90 nm、電路修改:28-40 nm、切割:IC橫截面、切割:TEM樣品制備
                  SEM 電子成像
                  EDX 元素分析
                  DECAP 金線、銅線、合金
                  OM 高清光學顯微成像,可拼圖
                  AFM(C-AFM) 材料微觀形貌、大小、厚度和粗糙度表征;表面電勢、導電性、彈性模量、壓電系數
                  XPS 元素種類、化學價態及相對含量鑒別;元素或化學態表面分布分析
                  TEM 材料微區觀察與分析
                  FIB+TEM 透射樣品制祥+觀察
                  XRD 金屬和非金屬定性定量分析
                  Raman 物質結構鑒定、分子相互作用分析
                  橢偏儀 各種介質膜厚度及折射率
                  FT-IR 樣品成分、結構鑒定
                  芯片電學測試 靜態特性參數 靜態參教、特性曲線(Vd-Id, ld-Vg)
                  動態特性參數 等效電容Ciss, Cosg, Crss;柵極等效電阻Rg;柵極電荷特性Qg;阻性開關特性td(on),td(off),tr, tf;感性開關特性td(on), td (off),tr, tf;二極管反向恢復特性trr, Qrr;短路耐量(時間)
                  熱阻特性 穩態熱阻、瞬態熱阻
                  抗靜電雷擊測試 二極管液涌測試儀(正向)、二極管液浦測試儀(反向)、雷擊浪涌發生器、峰值電壓測試設備、雷擊浪涌測試設備、TLP


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